反射內(nèi)存 選購指南

VMIC反射內(nèi)存實(shí)時(shí)網(wǎng)絡(luò) VMIC反射內(nèi)存卡 RTX開發(fā)

光纖反射內(nèi)存網(wǎng)絡(luò)硬件延時(shí)測(cè)試報(bào)告結(jié)論摘要 1）數(shù)據(jù)包在整個(gè)環(huán)網(wǎng)上的延時(shí) 網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)從開始發(fā)送到在環(huán)網(wǎng)流轉(zhuǎn)一周的總延時(shí)為：總延時(shí)≈600*（節(jié)點(diǎn)數(shù)-1）+3*光纖線長(zhǎng),單位：ns。 2）通過PCI總線進(jìn)行板卡反射內(nèi)存讀寫的延時(shí) PCI總線在寫時(shí)，需要準(zhǔn)備時(shí)間為5CLK約0.125us，之后每讀取4Bytes個(gè)數(shù)據(jù)需要3個(gè)CLK約0.075us。因此，PCI寫入N個(gè)數(shù)據(jù)的延時(shí)可表示為：0.125us + (N％4 + 1) *0.075us 六、應(yīng)用舉例：基于光纖反射內(nèi)存網(wǎng)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程多試驗(yàn)室協(xié)同試驗(yàn) 隨著戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)......

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