GD32F101CBT6解密單片機芯片解密
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GD32F101CBT6解密單片機芯片解密
凱基迪科技GD32F101解密系列:
GD32F101T4U6、GD32F101T6U6、GD32F101T8U6、GD32F101TBU6
GD32F101C4T6、GD32F101C6T6、GD32F101C8T6、GD32F101CBT6
GD32F101R4T6、GD32F101R6T6、GD32F101R8T6、GD32F101RBT6
GD32F101RCT6、GD32F101RDT6、GD32F101RET6、GD32F101RFT6
GD32F101RGT6、GD32F101V8T6、GD32F101VBT6、GD32F101ZCT6
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GD32F101CBT6技術參數:
1、ARM® CortexTM-M3內核
· 主頻可達56MHz
· 單指令周期乘法器和硬件除法器
· 嵌套式矢量型中斷控制器,支持16個中斷,每個中斷可設16個優先級
2、閃存空間
· 閃存容量可達3072KB
· SRAM最大可達80KB
· 2KB在系統編程引導程序空間
3、低功耗管理
· 支持多種低功耗工作模式:睡眠、深度睡眠、靜止等
· 實時時鐘和備份寄存器有專門的電池供電
4、高性能的模擬外設
· 2路ADC模數轉換器
· 2路DAC數模轉換輸出
5、豐富的外部設備接口
· 可達5路USART/Irda/LIN/ISO7816
· 可達3路SPI(18M位每秒)
· 可達2路I2C(400K位每秒)
6、片內資源
· 1個系統定時器,可達10個通用定時器,2個看門狗定時器
· 支持7路DMA直接存儲器存取通道
· 上電復位、掉電復位和低電壓檢測
· 多達80%可用通用I/O口
· 32位CRC循環冗余校驗
· 片內時鐘:高速內部時鐘(8MHz)和低速內部時鐘(40KHz)
· 可控制多種類型外部存儲器:SRAM, PSRAM, NOR-Flash, LCD

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