深圳臺憶提供SSD SATAIII2.5與mSATAIII固態(tài)硬盤
概述：2.5”固態(tài)硬盤，工業(yè)固態(tài)硬盤，電子內(nèi)存條
刷新時間：
2025-12-16 16:30:06 點擊47357次
分類：
服務(wù)區(qū)域：
廣東/深圳
展示/銷售：
聯(lián)系電話：
13480184528
特點
204pin Small outline dual in-line memory module(SO-DIMM)
Power Supply: VDD, VDDQ = 1.35V(1.283V–1.45V)
VDDSPD = +3.0V to +3.6V
Programmable CAS Latency(CL):6,7,8,9,10,11 supported
Backward Compatible with 1.5V DDR3 Memory module
Fully differential clock inputs(CK,/CK)operation
Differential Data Strobe(DQS,/DQS)
8K refresh cycles /64ms
Serial presence-detect (SPD) EEPROM
Lead-Free Products are RoHS compliant
Compatible with virtually all major notebook and netbook PCs
參數(shù)規(guī)格表
Model Number
DDR3L-1600 SO-DIMM
Memory Size
2 GB
4 GB
8 GB
Memory Configuration
SODIMM
SODIMM
SODIMM
SPD Speed
1600MHz
1600MHz
1600MHz
Pin Count
204pin
204pin
204pin
Memory Type
DDR3L
DDR3L
DDR3L
DRAM Brand
Hynix
Hynix
Hynix
Voltage
1.35V
1.35V
1.35V
Operation Temperature
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
ECC
Non-ECC
產(chǎn)地
臺灣
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
●產(chǎn)品圖片可能代表一種設(shè)計模型, 產(chǎn)品外觀因型號不同而有所差異，圖片僅供參考，請以實[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
204pin Small outline dual in-line memory module(SO-DIMM)
Power Supply: VDD, VDDQ = 1.35V(1.283V–1.45V)
VDDSPD = +3.0V to +3.6V
Programmable CAS Latency(CL):6,7,8,9,10,11 supported
Backward Compatible with 1.5V DDR3 Memory module
Fully differential clock inputs(CK,/CK)operation
Differential Data Strobe(DQS,/DQS)
8K refresh cycles /64ms
Serial presence-detect (SPD) EEPROM
Lead-Free Products are RoHS compliant
Compatible with virtually all major notebook and netbook PCs
參數(shù)規(guī)格表
Model Number
DDR3L-1600 SO-DIMM
Memory Size
2 GB
4 GB
8 GB
Memory Configuration
SODIMM
SODIMM
SODIMM
SPD Speed
1600MHz
1600MHz
1600MHz
Pin Count
204pin
204pin
204pin
Memory Type
DDR3L
DDR3L
DDR3L
DRAM Brand
Hynix
Hynix
Hynix
Voltage
1.35V
1.35V
1.35V
Operation Temperature
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
ECC
Non-ECC
產(chǎn)地
臺灣
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
●產(chǎn)品圖片可能代表一種設(shè)計模型, 產(chǎn)品外觀因型號不同而有所差異，圖片僅供參考，請以實[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
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